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臺(tái)積電12吋晶圓廠“登陸”終獲準(zhǔn)

2016年02月04日 08:16:00  來(lái)源:中國(guó)新聞網(wǎng)
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  臺(tái)“經(jīng)濟(jì)部”投審會(huì)3日通過(guò)臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司(臺(tái)積電)赴大陸南京設(shè)12吋晶圓廠的投資申請(qǐng),該案涉及金額30億美元。

  不過(guò),投審會(huì)方面強(qiáng)調(diào),依“‘登陸’12吋晶圓廠制程技術(shù)須落后其在臺(tái)技術(shù)1個(gè)世代以上”的規(guī)定,臺(tái)積電須在10納米制程今年量產(chǎn)后提出具體證明,經(jīng)認(rèn)定通過(guò),方能申請(qǐng)將臺(tái)灣相關(guān)機(jī)器設(shè)備運(yùn)往南京設(shè)廠。

  這是臺(tái)灣首件12吋晶圓廠獨(dú)資“登陸”申請(qǐng)案。臺(tái)灣行政當(dāng)局去年9月4日公告修正“松綁”臺(tái)晶圓廠“登陸”,但仍規(guī)定赴大陸投資新設(shè)晶圓鑄造廠或購(gòu)并、參股晶圓鑄造廠“不得為超過(guò)12吋晶圓鑄造”,且新設(shè)廠以核準(zhǔn)投資3座為上限(進(jìn)行所謂“總量管制”)。

  中央社引述分析師觀察,南京廠獲準(zhǔn)設(shè)立有助臺(tái)積電就近服務(wù)大陸客戶,有更多精力在更先進(jìn)制程技術(shù)上與三星、英特爾等對(duì)手競(jìng)爭(zhēng),利于鞏固訂單、維持其大陸市場(chǎng)業(yè)績(jī)成長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。

  臺(tái)積電趕在去年底(12月7日)遞件申請(qǐng),這項(xiàng)申請(qǐng)案先后送到臺(tái)灣方面陸委會(huì)、“勞動(dòng)部”、環(huán)保署、“金管會(huì)”證期局和銀行局、“中央銀行”外匯局、“經(jīng)濟(jì)部”工業(yè)局及技術(shù)處等諸多部會(huì)審查,并經(jīng)由產(chǎn)官學(xué)專家組成關(guān)鍵技術(shù)小組加以審查。

  申請(qǐng)獲準(zhǔn)后,臺(tái)積電稱將擇吉日開(kāi)工建廠,預(yù)計(jì)2018年下半年開(kāi)始生產(chǎn)16納米制程,將較臺(tái)灣廠16納米量產(chǎn)時(shí)間晚3年。

  投審會(huì)執(zhí)行秘書(shū)張銘斌表示,此項(xiàng)投資,有助臺(tái)積電取得半導(dǎo)體市場(chǎng)全球領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)地位。臺(tái)積電在2018年全球市場(chǎng)占有率有望由目前的55%提高至57%,大陸市場(chǎng)占有率將由46%提升至近50%。

  半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是臺(tái)灣在國(guó)際市場(chǎng)上最有競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)業(yè)之一。臺(tái)積電作為全球晶圓代工廠龍頭,此次“登陸”投資引起臺(tái)灣各界廣泛關(guān)注。

  業(yè)界看來(lái),臺(tái)積電“登陸”投資受“一拉一推”兩大因素影響。一是大陸產(chǎn)業(yè)政策的“拉力”:目前大陸將半導(dǎo)體投資項(xiàng)目納入“十三五規(guī)劃”,臺(tái)積電在南京設(shè)廠,可搭上大陸“一帶一路”等大投資的列車(chē)。二是臺(tái)灣投資環(huán)境惡化所形成的“推力”:臺(tái)灣若不改善缺水、缺電等問(wèn)題,將促使更多企業(yè)外出投資。(記者 劉舒凌 陳悅)

[責(zé)任編輯:扶海濤]

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